一次性使用无创脑电传感器

存储温度：-10℃—40℃

存储湿度：不大于80%

交流阻抗：≤1.2KΩ

内部噪声：≤150μV

直流失调电压：≤70mV

偏置电流耐受度：≤90mV


yuan.png  2000次/秒采样速率

yuan.png  高质量的脑电采集和传输


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临床意义
  • 一次性使用无创脑电传感器，是麻醉深度指数监测的一个采集脑电信号的重要附件，预期与脑电诊断监测设备配套使用，连续无创监测脑电信号。